0 0 0
  8. SIHB11N80E-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHB11N80E-GE3

 
SIHB11N80E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778370
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; Idm: 32А; 179Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
321.06 грн
5+
230.81 грн
12+
218.83 грн
500+
214.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
8А(1441287)
Опір в стані провідності
440мОм(1694859)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
179Вт(1741798)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
88нКл(1479485)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
32А(1789198)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHB11N80E-GE3
VISHAY
Артикул: 778370
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; Idm: 32А; 179Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
321.06 грн
5+
230.81 грн
12+
218.83 грн
500+
214.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
8А
Опір в стані провідності
440мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
179Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
88нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
32А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g