0 0 0
  8. SIHB120N60E-T5-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHB120N60E-T5-GE3

 
SIHB120N60E-T5-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778633
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; Idm: 66А; 179Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
414.69 грн
4+
298.13 грн
10+
281.48 грн
800+
270.38 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
16А(1441522)
Опір в стані провідності
0,12Ом(1492377)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
179Вт(1741798)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
45нКл(1609966)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
66А(1742462)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHB120N60E-T5-GE3
VISHAY
Артикул: 778633
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; Idm: 66А; 179Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
414.69 грн
4+
298.13 грн
10+
281.48 грн
800+
270.38 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
16А
Опір в стані провідності
0,12Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
179Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
45нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
66А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g