0 0 0
  8. SIHB15N60E-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHB15N60E-GE3

 
SIHB15N60E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778634
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 180Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
220.13 грн
5+
197.88 грн
7+
158.15 грн
18+
149.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
9,6А(1479200)
Опір в стані провідності
0,28Ом(1492340)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
180Вт(1701962)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
78нКл(1609951)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
39А(1811006)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHB15N60E-GE3
VISHAY
Артикул: 778634
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 180Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
220.13 грн
5+
197.88 грн
7+
158.15 грн
18+
149.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
9,6А
Опір в стані провідності
0,28Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
180Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
78нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
39А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g