0 0 0
  8. SIHB15N65E-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHB15N65E-GE3

 
SIHB15N65E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778488
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10А; Idm: 38А; 34Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
252.72 грн
5+
227.28 грн
6+
181.99 грн
16+
171.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
10А(1441290)
Опір в стані провідності
0,28Ом(1492340)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
34Вт(1701968)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
96нКл(1609970)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
38А(1825889)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHB15N65E-GE3
VISHAY
Артикул: 778488
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10А; Idm: 38А; 34Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
252.72 грн
5+
227.28 грн
6+
181.99 грн
16+
171.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
10А
Опір в стані провідності
0,28Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
34Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
96нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
38А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g