0 0 0
  8. SIHB17N80E-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHB17N80E-GE3

 
SIHB17N80E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778649
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; Idm: 45А; 208Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
424.99 грн
4+
305.27 грн
9+
288.62 грн
500+
283.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
10А(1441290)
Опір в стані провідності
0,29Ом(1492417)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
208Вт(1741773)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
122нКл(1701221)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
45А(1742464)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHB17N80E-GE3
VISHAY
Артикул: 778649
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; Idm: 45А; 208Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
424.99 грн
4+
305.27 грн
9+
288.62 грн
500+
283.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
10А
Опір в стані провідності
0,29Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
208Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
122нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
45А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g