0 0 0
  8. SIHB21N60EF-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHB21N60EF-GE3

 
SIHB21N60EF-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778347
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14А; Idm: 53А; 227Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
353.81 грн
4+
254.77 грн
5+
253.97 грн
11+
240.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
14А(1441298)
Опір в стані провідності
176мОм(1713746)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
227Вт(1741842)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
84нКл(1479022)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
53А(1810500)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHB21N60EF-GE3
VISHAY
Артикул: 778347
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14А; Idm: 53А; 227Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
353.81 грн
4+
254.77 грн
5+
253.97 грн
11+
240.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
14А
Опір в стані провідності
176мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
227Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
84нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
53А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g