0 0 0
  8. SIHB22N60AE-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHB22N60AE-GE3

 
SIHB22N60AE-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778558
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 51А; Idm: 268А; 520Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
324.26 грн
5+
233.21 грн
12+
220.43 грн
500+
216.44 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
51А(1479374)
Опір в стані провідності
30мОм(1441278)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
520Вт(1741786)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
443нКл(1960074)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
268А(1823190)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHB22N60AE-GE3
VISHAY
Артикул: 778558
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 51А; Idm: 268А; 520Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
324.26 грн
5+
233.21 грн
12+
220.43 грн
500+
216.44 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
51А
Опір в стані провідності
30мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
520Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
443нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
268А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g