0 0 0
  8. SIHB22N65E-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHB22N65E-GE3

 
SIHB22N65E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778483
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 14А; Idm: 56А; 227Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
341.03 грн
5+
245.99 грн
12+
232.41 грн
500+
227.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
14А(1441298)
Опір в стані провідності
0,18Ом(1459400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
227Вт(1741842)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
110нКл(1479315)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
56А(1789201)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHB22N65E-GE3
VISHAY
Артикул: 778483
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 14А; Idm: 56А; 227Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
341.03 грн
5+
245.99 грн
12+
232.41 грн
500+
227.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
14А
Опір в стані провідності
0,18Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
227Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
110нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
56А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g