0 0 0
  8. SIHB24N65EF-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHB24N65EF-GE3

 
SIHB24N65EF-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778636
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 15А; Idm: 65А; 250Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
495.97 грн
3+
356.20 грн
8+
337.03 грн
500+
330.65 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
15А(1441590)
Опір в стані провідності
156мОм(1811022)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
122нКл(1701221)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
65А(1759382)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHB24N65EF-GE3
VISHAY
Артикул: 778636
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 15А; Idm: 65А; 250Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
495.97 грн
3+
356.20 грн
8+
337.03 грн
500+
330.65 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
15А
Опір в стані провідності
156мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
250Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
122нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
65А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g