0 0 0
  8. SIHB24N80AE-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHB24N80AE-GE3

 
SIHB24N80AE-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778414
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
270.78 грн
5+
243.78 грн
6+
194.55 грн
15+
184.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
13А(1441372)
Опір в стані провідності
184мОм(1805211)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
208Вт(1741773)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
89нКл(1479442)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
51А(1801415)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHB24N80AE-GE3
VISHAY
Артикул: 778414
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
270.78 грн
5+
243.78 грн
6+
194.55 грн
15+
184.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
13А
Опір в стані провідності
184мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
208Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
89нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
51А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g