0 0 0
  8. SIHB25N50E-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHB25N50E-GE3

 
SIHB25N50E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778435
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 16А; Idm: 50А; 250Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
304.29 грн
5+
218.03 грн
13+
206.05 грн
500+
202.86 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
16А(1441522)
Опір в стані провідності
0,145Ом(1743039)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
86нКл(1632975)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
50А(1758516)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHB25N50E-GE3
VISHAY
Артикул: 778435
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 16А; Idm: 50А; 250Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
304.29 грн
5+
218.03 грн
13+
206.05 грн
500+
202.86 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
16А
Опір в стані провідності
0,145Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
250Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
86нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
50А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g