0 0 0
  8. SIHB33N60E-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHB33N60E-GE3

 
SIHB33N60E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 077403
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; 278Вт; D2PAK,TO263
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
424.99 грн
3+
382.18 грн
4+
293.37 грн
10+
277.51 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
21А(1441374)
Опір в стані провідності
99мОм(1599114)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
278Вт(1741771)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
150нКл(1479389)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHB33N60E-GE3
VISHAY
Артикул: 077403
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; 278Вт; D2PAK,TO263
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
424.99 грн
3+
382.18 грн
4+
293.37 грн
10+
277.51 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
21А
Опір в стані провідності
99мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
278Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
150нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g