0 0 0
  8. SIHB35N60E-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHB35N60E-GE3

 
SIHB35N60E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778275
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20А; Idm: 80А; 250Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
536.70 грн
3+
386.55 грн
8+
365.79 грн
500+
357.80 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
20А(1441300)
Опір в стані провідності
94мОм(1609998)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
132нКл(1747344)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
80А(1758518)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHB35N60E-GE3
VISHAY
Артикул: 778275
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20А; Idm: 80А; 250Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
536.70 грн
3+
386.55 грн
8+
365.79 грн
500+
357.80 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
20А
Опір в стані провідності
94мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
250Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
132нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
80А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g