0 0 0
  8. SIHB4N80E-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHB4N80E-GE3

 
SIHB4N80E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778549
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; Idm: 11А; 69Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
179.58 грн
5+
162.10 грн
8+
129.52 грн
22+
122.37 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
2,7А(1492297)
Опір в стані провідності
1,27Ом(1960043)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
69Вт(1708603)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
32нКл(1479130)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
11А(1801431)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHB4N80E-GE3
VISHAY
Артикул: 778549
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; Idm: 11А; 69Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
179.58 грн
5+
162.10 грн
8+
129.52 грн
22+
122.37 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
2,7А
Опір в стані провідності
1,27Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
69Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
32нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
11А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g