Транзистори з каналом N SMD SIHB6N80E-GE3

 
SIHB6N80E-GE3
 
Артикул: 847041
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,4А; Idm: 15А; 78Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
207.65 грн
7+
155.74 грн
18+
146.95 грн
1000+
142.16 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
5,4А(1441322)
Опір в стані провідності
940мОм(1739748)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
78Вт(1708589)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
44нКл(1479001)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
15А(1741672)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHB6N80E-GE3
VISHAY
Артикул: 847041
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,4А; Idm: 15А; 78Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
207.65 грн
7+
155.74 грн
18+
146.95 грн
1000+
142.16 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
5,4А
Опір в стані провідності
940мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
78Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
44нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
15А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g