0 0 0
  8. SIHB8N50D-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHB8N50D-GE3

 
SIHB8N50D-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778436
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,5А; Idm: 18А; 156Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
100.12 грн
5+
90.59 грн
14+
73.11 грн
38+
69.13 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
5,5А(1492307)
Опір в стані провідності
0,85Ом(1459319)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
156Вт(1741756)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
30нКл(1479265)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
18А(1741667)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHB8N50D-GE3
VISHAY
Артикул: 778436
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,5А; Idm: 18А; 156Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
100.12 грн
5+
90.59 грн
14+
73.11 грн
38+
69.13 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
5,5А
Опір в стані провідності
0,85Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
156Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
30нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
18А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g