0 0 0
  8. SIHD14N60E-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHD14N60E-GE3

 
SIHD14N60E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778604
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; Idm: 32А; 147Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
169.27 грн
5+
151.79 грн
9+
121.59 грн
23+
114.44 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
8А(1441287)
Опір в стані провідності
309мОм(1960045)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
147Вт(1741770)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
64нКл(1633539)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
32А(1789198)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHD14N60E-GE3
VISHAY
Артикул: 778604
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; Idm: 32А; 147Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
169.27 грн
5+
151.79 грн
9+
121.59 грн
23+
114.44 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
8А
Опір в стані провідності
309мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
147Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
64нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
32А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g