0 0 0
  8. SIHD3N50D-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHD3N50D-GE3

 
SIHD3N50D-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778646
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,9А; Idm: 5,5А; 69Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.79 грн
5+
45.92 грн
25+
41.16 грн
31+
33.37 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
1,9А(1479102)
Опір в стані провідності
3,2Ом(1512592)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
69Вт(1708603)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
12нКл(1479115)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
5,5А(1884196)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHD3N50D-GE3
VISHAY
Артикул: 778646
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,9А; Idm: 5,5А; 69Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.79 грн
5+
45.92 грн
25+
41.16 грн
31+
33.37 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
1,9А
Опір в стані провідності
3,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
69Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
12нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
5,5А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g