0 0 0
  8. SIHD4N80E-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHD4N80E-GE3

 
SIHD4N80E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778557
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; Idm: 11А; 69Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
126.65 грн
5+
113.91 грн
11+
90.81 грн
31+
86.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
2,7А(1492297)
Опір в стані провідності
1,27Ом(1960043)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
69Вт(1708603)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
32нКл(1479130)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
11А(1801431)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHD4N80E-GE3
VISHAY
Артикул: 778557
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; Idm: 11А; 69Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
126.65 грн
5+
113.91 грн
11+
90.81 грн
31+
86.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
2,7А
Опір в стані провідності
1,27Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
69Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
32нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
11А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g