0 0 0
  8. SIHD6N62E-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHD6N62E-GE3

 
SIHD6N62E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778377
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 620В; 4А; Idm: 12А; 78Вт; DPAK,TO252
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
91.17 грн
5+
82.45 грн
16+
65.01 грн
42+
61.84 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
620В(1609987)
Струм стока
4А(1441365)
Опір в стані провідності
0,9Ом(1492457)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
78Вт(1708589)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
34нКл(1479140)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
12А(1741665)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHD6N62E-GE3
VISHAY
Артикул: 778377
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 620В; 4А; Idm: 12А; 78Вт; DPAK,TO252
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
91.17 грн
5+
82.45 грн
16+
65.01 грн
42+
61.84 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
620В
Струм стока
4А
Опір в стані провідності
0,9Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
78Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
34нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
12А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g