0 0 0
  8. SIHD9N60E-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHD9N60E-GE3

 
SIHD9N60E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778562
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 6А; Idm: 22А; 78Вт; DPAK,TO252
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
146.23 грн
5+
131.13 грн
10+
104.90 грн
27+
99.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
6А(1441388)
Опір в стані провідності
368мОм(1960047)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
78Вт(1708589)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
52нКл(1479036)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
22А(1801380)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHD9N60E-GE3
VISHAY
Артикул: 778562
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 6А; Idm: 22А; 78Вт; DPAK,TO252
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
146.23 грн
5+
131.13 грн
10+
104.90 грн
27+
99.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
6А
Опір в стані провідності
368мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
78Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
52нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
22А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g