0 0 0
  8. SIHF12N60E-GE3

Транзистори з каналом N THT SIHF12N60E-GE3

 
SIHF12N60E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 780496
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 27А; 33Вт; TO220FP
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
177.85 грн
5+
160.31 грн
8+
126.81 грн
22+
119.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
7,8А(1492321)
Опір в стані провідності
0,38Ом(1638675)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
33Вт(1595255)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
58нКл(1478954)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
27А(1741675)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT SIHF12N60E-GE3
VISHAY
Артикул: 780496
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 27А; 33Вт; TO220FP
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
177.85 грн
5+
160.31 грн
8+
126.81 грн
22+
119.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
7,8А
Опір в стані провідності
0,38Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
33Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
58нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
27А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g