0 0 0
  8. SIHF12N65E-GE3

Транзистори з каналом N THT SIHF12N65E-GE3

 
SIHF12N65E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 780679
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 8А; Idm: 28А; 33Вт; TO220FP
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
162.14 грн
5+
146.24 грн
9+
116.04 грн
24+
109.68 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
8А(1441287)
Опір в стані провідності
0,38Ом(1638675)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
33Вт(1595255)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
70нКл(1479303)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
28А(1801403)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT SIHF12N65E-GE3
VISHAY
Артикул: 780679
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 8А; Idm: 28А; 33Вт; TO220FP
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
162.14 грн
5+
146.24 грн
9+
116.04 грн
24+
109.68 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
8А
Опір в стані провідності
0,38Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
33Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
70нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
28А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g