0 0 0
  8. SIHF30N60E-GE3

Транзистори з каналом N THT SIHF30N60E-GE3

 
SIHF30N60E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 441639
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 18А; Idm: 676А; 37Вт; TO220FP
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
510.43 грн
3+
346.13 грн
8+
327.79 грн
50+
326.99 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
18А(1479247)
Опір в стані провідності
0,125Ом(1737453)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
37Вт(1740770)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
130нКл(1479431)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
676А(1776130)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT SIHF30N60E-GE3
VISHAY
Артикул: 441639
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 18А; Idm: 676А; 37Вт; TO220FP
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
510.43 грн
3+
346.13 грн
8+
327.79 грн
50+
326.99 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
18А
Опір в стані провідності
0,125Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
37Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
130нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
676А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g