0 0 0
  8. SIHF530S-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHF530S-GE3

 
SIHF530S-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778491
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.01 грн
5+
43.86 грн
25+
38.78 грн
29+
34.96 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
10А(1441290)
Опір в стані провідності
0,16Ом(1492490)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
88Вт(1741738)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
26нКл(1479074)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
56А(1789201)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHF530S-GE3
VISHAY
Артикул: 778491
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.01 грн
5+
43.86 грн
25+
38.78 грн
29+
34.96 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
10А
Опір в стані провідності
0,16Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
88Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
26нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
56А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g