0 0 0
  8. SIHF840S-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHF840S-GE3

 
SIHF840S-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778492
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
89.00 грн
5+
80.26 грн
16+
64.36 грн
44+
60.39 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
5,1А(1479146)
Опір в стані провідності
0,85Ом(1459319)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
63нКл(1479469)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
32А(1789198)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHF840S-GE3
VISHAY
Артикул: 778492
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
89.00 грн
5+
80.26 грн
16+
64.36 грн
44+
60.39 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
5,1А
Опір в стані провідності
0,85Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
63нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
32А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g