Транзистори з каналом N SMD SIHFBC30AS-GE3

 
SIHFBC30AS-GE3
 
Артикул: 778422
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,3А; Idm: 14А; 74Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
91.98 грн
5+
83.25 грн
15+
65.81 грн
42+
62.64 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
2,3А(1441508)
Опір в стані провідності
2,2Ом(1441396)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
74Вт(1708592)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
23нКл(1479059)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
14А(1709893)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHFBC30AS-GE3
VISHAY
Артикул: 778422
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,3А; Idm: 14А; 74Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
91.98 грн
5+
83.25 грн
15+
65.81 грн
42+
62.64 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
2,3А
Опір в стані провідності
2,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
74Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
23нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
14А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g