0 0 0
  8. SIHFBF20STRL-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHFBF20STRL-GE3

 
SIHFBF20STRL-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778629
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
88.19 грн
5+
79.45 грн
16+
62.77 грн
44+
59.59 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
900В(1441403)
Струм стока
1,1А(1492262)
Опір в стані провідності
8Ом(1441548)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
54Вт(1608403)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
38нКл(1479182)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
6,8А(1888016)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHFBF20STRL-GE3
VISHAY
Артикул: 778629
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
88.19 грн
5+
79.45 грн
16+
62.77 грн
44+
59.59 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
900В
Струм стока
1,1А
Опір в стані провідності
8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
54Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
38нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
6,8А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g