0 0 0
  8. SIHFR010-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHFR010-GE3

 
SIHFR010-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846909
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 8,2А; Idm: 33А; 25Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.00 грн
5+
38.77 грн
25+
36.63 грн
33+
30.51 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
50В(1441356)
Струм стока
8,2А(1492461)
Опір в стані провідності
0,2Ом(1492329)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
25Вт(1507409)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
10нКл(1479106)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
33А(1810524)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHFR010-GE3
VISHAY
Артикул: 846909
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 8,2А; Idm: 33А; 25Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.00 грн
5+
38.77 грн
25+
36.63 грн
33+
30.51 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
50В
Струм стока
8,2А
Опір в стані провідності
0,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
25Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
10нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
33А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g