Транзистори з каналом N SMD SIHFR120TR-GE3

 
SIHFR120TR-GE3
 
Артикул: 778644
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4,9А; Idm: 31А; 42Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
57.88 грн
5+
40.44 грн
25+
36.47 грн
34+
29.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
4,9А(1441268)
Опір в стані провідності
0,27Ом(1596293)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
42Вт(1607949)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
16нКл(1479019)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
31А(1789235)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHFR120TR-GE3
VISHAY
Артикул: 778644
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4,9А; Idm: 31А; 42Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
57.88 грн
5+
40.44 грн
25+
36.47 грн
34+
29.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
4,9А
Опір в стані провідності
0,27Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
42Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
16нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
31А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g