Транзисторы с каналом N SMD SIHFR1N60A-GE3

 
SIHFR1N60A-GE3
 
Артикул: 077404
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,98А; 36Вт; DPAK,TO252
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.68 грн
5+
61.54 грн
20+
54.30 грн
22+
47.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 89 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
0,98А(1737241)
Опір в стані провідності
7Ом(1441589)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
36Вт(1607952)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
14нКл(1479029)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,248 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHFR1N60A-GE3
VISHAY
Артикул: 077404
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,98А; 36Вт; DPAK,TO252
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.68 грн
5+
61.54 грн
20+
54.30 грн
22+
47.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 89 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
0,98А
Опір в стані провідності
7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
36Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
14нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,248 g