Транзистори з каналом N SMD SIHFR1N60ATRL-GE3

 
SIHFR1N60ATRL-GE3
 
Артикул: 778515
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 890мА; Idm: 5,6А; 36Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.80 грн
5+
46.25 грн
25+
40.76 грн
27+
37.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
0,89А(1644073)
Опір в стані провідності
7Ом(1441589)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
36Вт(1607952)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
14нКл(1479029)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
5,6А(1926601)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHFR1N60ATRL-GE3
VISHAY
Артикул: 778515
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 890мА; Idm: 5,6А; 36Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.80 грн
5+
46.25 грн
25+
40.76 грн
27+
37.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
0,89А
Опір в стані провідності
7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
36Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
14нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
5,6А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g