0 0 0
  8. SIHFR430ATR-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHFR430ATR-GE3

 
SIHFR430ATR-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778555
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,2А; Idm: 20А; 110Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.01 грн
5+
52.77 грн
24+
42.12 грн
65+
39.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
3,2А(1492373)
Опір в стані провідності
1,7Ом(1502513)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
110Вт(1701955)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
24нКл(1479143)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
20А(1741666)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHFR430ATR-GE3
VISHAY
Артикул: 778555
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,2А; Idm: 20А; 110Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.01 грн
5+
52.77 грн
24+
42.12 грн
65+
39.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
3,2А
Опір в стані провідності
1,7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
110Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
24нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g