Транзистори з каналом P SMD SIHFR9110TR-GE3

 
SIHFR9110TR-GE3
 
Артикул: 794778
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -2А; Idm: -12А; 25Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.95 грн
5+
40.78 грн
25+
36.80 грн
34+
29.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
-100В(1478949)
Струм стока
-2А(1492324)
Опір в стані провідності
1,2Ом(1441394)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
25Вт(1507409)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
8,7нКл(1479416)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-12А(1801470)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SIHFR9110TR-GE3
VISHAY
Артикул: 794778
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -2А; Idm: -12А; 25Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.95 грн
5+
40.78 грн
25+
36.80 грн
34+
29.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
-100В
Струм стока
-2А
Опір в стані провідності
1,2Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
25Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
8,7нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-12А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g