0 0 0
  8. SIHFR9210TR-GE3

Транзистори з каналом P SMD SIHFR9210TR-GE3

 
SIHFR9210TR-GE3
 
VISHAY
Артикул: 794789
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -1,2А; Idm: -7,6А; 25Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.95 грн
5+
50.66 грн
25+
40.62 грн
68+
38.24 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
-200В(1441458)
Струм стока
-1,2А(1610032)
Опір в стані провідності
3Ом(1441400)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
25Вт(1507409)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
8,9нКл(1479156)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-7,6А(1811011)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SIHFR9210TR-GE3
VISHAY
Артикул: 794789
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -1,2А; Idm: -7,6А; 25Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.95 грн
5+
50.66 грн
25+
40.62 грн
68+
38.24 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
-200В
Струм стока
-1,2А
Опір в стані провідності
3Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
25Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
8,9нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-7,6А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g