Транзистори з каналом N SMD SIHFZ48RS-GE3

 
SIHFZ48RS-GE3
 
Артикул: 778392
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 290А; 190Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
158.11 грн
5+
141.43 грн
9+
112.82 грн
25+
106.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
50А(1441504)
Опір в стані провідності
18мОм(1441559)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
190Вт(1740822)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
110нКл(1479315)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
290А(1960044)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHFZ48RS-GE3
VISHAY
Артикул: 778392
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 290А; 190Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
158.11 грн
5+
141.43 грн
9+
112.82 грн
25+
106.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
50А
Опір в стані провідності
18мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
190Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
110нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
290А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g