Транзистори з каналом N THT SIHG080N60E-GE3

 
SIHG080N60E-GE3
 
Артикул: 780456
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; Idm: 96А; 227Вт; TO247AC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
377.24 грн
4+
268.77 грн
11+
254.42 грн
500+
252.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247AC(1440198)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
22А(1441302)
Опір в стані провідності
80мОм(1441523)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
227Вт(1741842)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
63нКл(1479469)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
96А(1758594)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори з каналом N THT SIHG080N60E-GE3
VISHAY
Артикул: 780456
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; Idm: 96А; 227Вт; TO247AC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
377.24 грн
4+
268.77 грн
11+
254.42 грн
500+
252.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO247AC
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
22А
Опір в стані провідності
80мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
227Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
63нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
96А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g