0 0 0
  8. SIHG120N60E-GE3

Транзистори з каналом N THT SIHG120N60E-GE3

 
SIHG120N60E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 780457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; Idm: 66А; 179Вт; TO247AC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
414.72 грн
4+
295.09 грн
5+
294.29 грн
10+
278.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247AC(1440198)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
16А(1441522)
Опір в стані провідності
0,12Ом(1492377)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
179Вт(1741798)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
45нКл(1609966)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
66А(1742462)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори з каналом N THT SIHG120N60E-GE3
VISHAY
Артикул: 780457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; Idm: 66А; 179Вт; TO247AC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
414.72 грн
4+
295.09 грн
5+
294.29 грн
10+
278.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO247AC
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
16А
Опір в стані провідності
0,12Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
179Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
45нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
66А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g