0 0 0
  8. SIHG17N80AE-GE3

Транзистори з каналом N THT SIHG17N80AE-GE3

 
SIHG17N80AE-GE3
 
VISHAY
Артикул: 780410
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; Idm: 32А; 179Вт; TO247AC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
236.07 грн
5+
212.94 грн
6+
168.28 грн
16+
158.71 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247AC(1440198)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
10А(1441290)
Опір в стані провідності
0,29Ом(1492417)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
179Вт(1741798)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
62нКл(1479423)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
32А(1789198)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори з каналом N THT SIHG17N80AE-GE3
VISHAY
Артикул: 780410
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; Idm: 32А; 179Вт; TO247AC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
236.07 грн
5+
212.94 грн
6+
168.28 грн
16+
158.71 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO247AC
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
10А
Опір в стані провідності
0,29Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
179Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
62нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
32А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g