0 0 0
  8. SIHG20N50E-GE3

Транзистори з каналом N THT SIHG20N50E-GE3

 
SIHG20N50E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 780514
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; Idm: 42А; 179Вт; TO247AC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
231.29 грн
5+
207.44 грн
6+
164.52 грн
17+
155.78 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247AC(1440198)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
12А(1441370)
Опір в стані провідності
184мОм(1805211)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
179Вт(1741798)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
92нКл(1479457)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
42А(1789234)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори з каналом N THT SIHG20N50E-GE3
VISHAY
Артикул: 780514
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; Idm: 42А; 179Вт; TO247AC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
231.29 грн
5+
207.44 грн
6+
164.52 грн
17+
155.78 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO247AC
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
12А
Опір в стані провідності
184мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
179Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
92нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
42А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g