0 0 0
  8. SIHG33N65E-GE3

Транзистори з каналом N THT SIHG33N65E-GE3

 
SIHG33N65E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 780490
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 21А; Idm: 101А; 313Вт; TO247AC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
624.48 грн
3+
442.64 грн
7+
418.71 грн
500+
416.32 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247AC(1440198)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
21А(1441374)
Опір в стані провідності
0,105Ом(1710956)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
313Вт(1741812)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
173нКл(1714106)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
101А(1960077)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори з каналом N THT SIHG33N65E-GE3
VISHAY
Артикул: 780490
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 21А; Idm: 101А; 313Вт; TO247AC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
624.48 грн
3+
442.64 грн
7+
418.71 грн
500+
416.32 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO247AC
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
21А
Опір в стані провідності
0,105Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
313Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
173нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
101А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g