0 0 0
  8. SIHG47N65E-GE3

Транзистори з каналом N THT SIHG47N65E-GE3

 
SIHG47N65E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 780683
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 30А; Idm: 139А; 417Вт; TO247AC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
634.05 грн
3+
450.61 грн
6+
425.89 грн
500+
422.70 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247AC(1440198)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
30А(1441514)
Опір в стані провідності
72мОм(1520449)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
417Вт(1741960)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
273нКл(1926662)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
139А(1788543)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори з каналом N THT SIHG47N65E-GE3
VISHAY
Артикул: 780683
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 30А; Idm: 139А; 417Вт; TO247AC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
634.05 грн
3+
450.61 грн
6+
425.89 грн
500+
422.70 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO247AC
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
30А
Опір в стані провідності
72мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
417Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
273нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
139А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g