0 0 0
  8. SIHG61N65EF-GE3

Транзистори з каналом N THT SIHG61N65EF-GE3

 
SIHG61N65EF-GE3
 
VISHAY
Артикул: 780673
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 41А; Idm: 199А; 520Вт; TO247AC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
988.88 грн
3+
935.49 грн
500+
922.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247AC(1440198)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
41А(1441535)
Опір в стані провідності
47мОм(1610028)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
520Вт(1741786)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
371нКл(1960078)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
199А(1960076)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори з каналом N THT SIHG61N65EF-GE3
VISHAY
Артикул: 780673
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 41А; Idm: 199А; 520Вт; TO247AC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
988.88 грн
3+
935.49 грн
500+
922.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO247AC
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
41А
Опір в стані провідності
47мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
520Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
371нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
199А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g