0 0 0
  8. SIHG80N60EF-GE3

Транзистори з каналом N THT SIHG80N60EF-GE3

 
SIHG80N60EF-GE3
 
VISHAY
Артикул: 780619
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 51А; Idm: 254А; 520Вт; TO247AC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 072.54 грн
3+
1 013.58 грн
500+
1 004.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247AC(1440198)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
51А(1479374)
Опір в стані провідності
32мОм(1441272)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
520Вт(1741786)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
400нКл(1742769)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
254А(1960081)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори з каналом N THT SIHG80N60EF-GE3
VISHAY
Артикул: 780619
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 51А; Idm: 254А; 520Вт; TO247AC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 072.54 грн
3+
1 013.58 грн
500+
1 004.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO247AC
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
51А
Опір в стані провідності
32мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
520Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
400нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
254А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g