Транзисторы с каналом N SMD SIHH068N60E-T1-GE3

 
SIHH068N60E-T1-GE3
 
Артикул: 778514
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; Idm: 100А; 202Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
688.06 грн
2+
494.99 грн
5+
494.19 грн
6+
467.98 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 8x8L(1737200)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
22А(1441302)
Опір в стані провідності
68мОм(1609782)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
202Вт(1942535)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
80нКл(1479275)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
100А(1758515)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHH068N60E-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778514
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; Idm: 100А; 202Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
688.06 грн
2+
494.99 грн
5+
494.19 грн
6+
467.98 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
22А
Опір в стані провідності
68мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
202Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
80нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
100А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g