0 0 0
  8. SIHH070N60EF-T1GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHH070N60EF-T1GE3

 
SIHH070N60EF-T1GE3
 
VISHAY
Артикул: 778520
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 23А; Idm: 93А; 202Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
707.92 грн
2+
508.50 грн
6+
480.69 грн
500+
471.95 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 8x8L(1737200)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
23А(1479277)
Опір в стані провідності
71мОм(1702171)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
202Вт(1942535)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
75нКл(1479015)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
93А(1823217)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHH070N60EF-T1GE3
VISHAY
Артикул: 778520
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 23А; Idm: 93А; 202Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
707.92 грн
2+
508.50 грн
6+
480.69 грн
500+
471.95 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
23А
Опір в стані провідності
71мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
202Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
75нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
93А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g