0 0 0
  8. SIHH080N60E-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHH080N60E-T1-GE3

 
SIHH080N60E-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778389
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20А; Idm: 96А; 184Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
385.35 грн
4+
277.51 грн
5+
276.72 грн
10+
262.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 8x8L(1737200)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
20А(1441300)
Опір в стані провідності
80мОм(1441523)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
184Вт(1775247)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
63нКл(1479469)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
96А(1758594)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHH080N60E-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778389
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20А; Idm: 96А; 184Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
385.35 грн
4+
277.51 грн
5+
276.72 грн
10+
262.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
20А
Опір в стані провідності
80мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
184Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
63нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
96А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g