0 0 0
  8. SIHH11N60EF-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHH11N60EF-T1-GE3

 
SIHH11N60EF-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778292
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 27А; 114Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
327.45 грн
5+
235.60 грн
12+
222.83 грн
500+
218.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 8x8L(1737200)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
7А(1441285)
Опір в стані провідності
357мОм(1960013)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
114Вт(1741844)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
62нКл(1479423)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
27А(1741675)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHH11N60EF-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778292
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 27А; 114Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
327.45 грн
5+
235.60 грн
12+
222.83 грн
500+
218.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
7А
Опір в стані провідності
357мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
114Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
62нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
27А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g