Транзистори з каналом N SMD SIHH120N60E-T1-GE3

 
SIHH120N60E-T1-GE3
 
Артикул: 778652
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; Idm: 57А; 156Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
468.02 грн
3+
337.03 грн
9+
318.67 грн
500+
312.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 8x8L(1737200)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
15А(1441590)
Опір в стані провідності
0,12Ом(1492377)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
156Вт(1741756)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
44нКл(1479001)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
57А(1829684)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHH120N60E-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778652
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; Idm: 57А; 156Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
468.02 грн
3+
337.03 грн
9+
318.67 грн
500+
312.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
15А
Опір в стані провідності
0,12Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
156Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
44нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
57А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g