0 0 0
  8. SIHH125N60EF-T1GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHH125N60EF-T1GE3

 
SIHH125N60EF-T1GE3
 
VISHAY
Артикул: 778469
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14А; Idm: 66А; 156Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
519.93 грн
3+
373.77 грн
8+
353.81 грн
500+
346.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 8x8L(1737200)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
14А(1441298)
Опір в стані провідності
0,125Ом(1737453)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
156Вт(1741756)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
47нКл(1610022)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
66А(1742462)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHH125N60EF-T1GE3
VISHAY
Артикул: 778469
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14А; Idm: 66А; 156Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
519.93 грн
3+
373.77 грн
8+
353.81 грн
500+
346.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
14А
Опір в стані провідності
0,125Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
156Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
47нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
66А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g